BFR93AWH6327 دیتاشیت

BFR93AWH6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFR93AWH6327
حجم فایل 74.885 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت BFR93AWH6327

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BFR93AWH6327
  • Transistor Type: -
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 90mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 6GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@30mA,8V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 12V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: SOT-323-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه